--- 产品参数 ---
- 频率 7.7 至 8.5 GHz
- 力量 35.5 至 36.5 dBm
- 功率(W) 3.55 至 4.47 瓦
- P1dB 35.5 至 36.5 dBm
- 功率增益 (Gp) 7.5 至 8.5 分贝
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 FLM7785-4F 是一款射频晶体管,频率 7.7 至 8.5 GHz,功率 35.5 至 36.5 dBm,功率 (W) 3.55 至 4.47 W,P1dB 35.5 至 36.5 dBm,功率增益 (Gp) 7.5 至 8.5 dB . 标签:法兰。FLM7785-4F 的更多详细信息如下所示。
产品规格
产品详情
零件号
FLM7785-4F
制造商
住友电工设备创新
描述
7.7 至 8.5 GHz,增益 GaAs FET
一般参数
晶体管类型
场效应管
技术
砷化镓
申请类型
C波段
频率
7.7 至 8.5 GHz
力量
35.5 至 36.5 dBm
功率(W)
3.55 至 4.47 瓦
P1dB
35.5 至 36.5 dBm
功率增益 (Gp)
7.5 至 8.5 分贝
功率附加效率
0.35
电压 - 栅源 (Vgs)
-5 伏
漏电流
1100 至 1300 毫安
IMD
-46 至 -44 dBc
阻抗 Z
50 欧姆
热阻
5 到 6 度 C/W
包装类型
法兰
包裹
IA
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
饱和漏极电流:1700 至 2600 mA,夹断电压:-3 至 -0.5 V,增益平坦度:±0.6 dB,通道温升:80 摄氏度,通道温度:175 摄氏度
EMM5836V1B
SMM5854V1D
FMM5057VF
EMM5078ZV
EMM5077VU
FMM5056VF
EMM5074VU
SGM6906VU
SGC1011-300B-R
SGC8595-300B-R
SGM6901VU
SGC0910-300B-R
SGNH130M1H
SGK7185-20A
FSX017LG
FSX027WF
SGC8598-100A-R
SGC1112-100A-R
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SGK0910-30A-R
SGK0910-60A-R
FSX017WF
SGC0910-200A-R
SGNE070MK
SGNE030MK
SGNE045MK
SGNE090MK
FSU02LG
FSU01LG
SGK0910-120A-R
SGC8598-50A-R
SGNE010MK
EGN26C070MK
SGN26C050MK
SGN27C160I2D
SGN19C320I2D
EGN26C160I2D
SGNC320MK
EGN35C070I2D
SGN21C320I2D
EGN26C070I2D
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