Sumitomo Electric Device Innovations 的 EGN26C160I2D 是一款射频晶体管，频率 2.6 GHz、功率 49.5 dBm、功率 (W) 89.13 W、饱和功率 51.5 至 52.5 dBm、功率增益 (Gp) 15 至 16 dB。标签：法兰。有关 EGN26C160I2D 的更多详细信息，请参见下文。
产品规格
产品详情
零件号
EGN26C160I2D
制造商
住友电工设备创新
描述
2.6 GHz，增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
申请类型
L波段
应用
基站，LTE
频率
2.6GHz
力量
49.5 分贝
功率(W)
89.13 瓦
饱和功率
51.5 至 52.5 dBm
功率增益 (Gp)
15 至 16 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
25% 到 30%
功耗 (Pdiss)
132 瓦
热阻
1.4 到 1.6 度 C/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
正向栅极电流：153 mA，反向栅极电流：-5.8 mA
FLM5964-35F
FLM5964-8F/001
ELM5964-16F
FLM5964-8F
FLM5964-4F/001
SLM5868-25F
FLM5964-18F
FLM5964-25F
FLM5964-12F/001
FLM5964-4F
FLM5964-45F
ELM5964-10F
FLM5964-6F
FLM5964-12F
FLM5053-8F
FLM5359-4F
FLM5359-12F
FLM4450-45F
FLM5053-18F
FLM5359-18F
FLM5053-25F
FLM5359-35F
FLM4450-25F
FLM5053-12F
FLM4450-4F
FLM4450-18F
FLM4450-12F
FLM5053-4F
FLM5359-8F
FLM4450-8F
FLM5053-35F
FLM5359-25F
FLM3742-18F
FLM3439-18F
FLM3135-18F
FLM3135-8F
FLM3439-4F
FLM3742-25F
FLM3439-8F
FLM2023L-30F
FLM3742-4F
FLM3135-4F
FLM3439-12F
FLM2527L-20F
