--- 产品参数 ---
- 频率 直流至 3.7 GHz
- 力量 38分贝
- 功率(W) 6.31 瓦
- 饱和功率 40 至 41 dBm
- 功率增益 (Gp) 18.5 至 19.5 分贝
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGFCF10S-D 是一款射频晶体管,频率 DC 至 3.7 GHz,功率 38 dBm,功率 (W) 6.31 W,饱和功率 40 至 41 dBm,功率增益 (Gp) 18.5 至 19.5 dB。标签:表面贴装。有关 SGFCF10S-D 的更多详细信息,请参见下文。
产品规格
产品详情
零件号
SGFCF10S-D
制造商
住友电工设备创新
描述
DC 至 3.7 GHz,增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
应用
WCDMA、LTE、基站
频率
直流至 3.7 GHz
力量
38分贝
功率(W)
6.31 瓦
饱和功率
40 至 41 dBm
功率增益 (Gp)
18.5 至 19.5 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
11.5 至 13.5%
功耗 (Pdiss)
13.5 瓦
热阻
10 至 11.5 摄氏度/W
包装类型
表面贴装
RoHS
是的
贮存温度
-40 至 125 摄氏度
笔记
正向栅极电流:23 mA,反向栅极电流:-0.3 mA
FLM1314-3F
FLM1011-15F
FLM1011-4F
FLM1011-12F
FLM1213-8F
FLM0910-8F
FLM0910-25F
FLM0910-12F
FLM7785-12F
FLM8596-4F
FLM7185-6F
FLM7785-45F
ELM7785-35F
ELM7785-16F
FLM8596-8F
ELM7785-60F
FLM7785-6F
FLM7785-4F
FLM8596-15F
FLM7785-18F
FLM7785-8F
ELM7785-10F
FLM7185-12F
FLM7179-18F
FLM8596-12F
FLM6472-4F
FLM5972-4F
FLM6472-18F
ELM7179-16F
ELM7179-10F
FLM7179-4F
ELM6472-16F
FLM5972-8F
ELM6472-10F
FLM7179-6F
FLM6472-25F
FLM7179-12F
FLM6472-6F
FLM5972-12F
FLM7179-8F
FLM6472-12F
FLM6472-8F
FLM5964-18F/001
FLM5359-45F
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