类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@1mA N沟道,60V,0.5A,5Ω@10V
--- 产品参数 ---
- 品牌 ON(安森美)
- 型号 MMBF170LT1G
- 包装 3000/盘
- 批号 22+
- 封装 SO-23
- 应用领域 N沟道 60V 500mA 场效应管(MOSFET)
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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