Qorvo 的 QPD0006 是一种单路径高电子迁移率晶体管 (HEMT)，工作频率范围为 2.5 至 5 GHz。它提供 13.5 W (~41.3 dBm) 的输出功率，增益为 16 dB，漏极效率为 75%。该晶体管使用碳化硅 (SiC) 上的氮化镓 (GaN) 工艺制造。它需要 48 V 的直流电源并消耗 40 mA 的电流。该晶体管采用表面贴装 DFN 封装，尺寸为 4.5 x 4 mm，非常适合 WCDMA / LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、小型蜂窝、有源天线、5G 大规模 MIMO 和通用应用。
产品规格
产品详情
零件号 QPD0006
制造商 科尔沃
描述 2.5 至 5 GHz 的 13.5 W GaN-on-SiC HEMT
一般参数
晶体管类型 HEMT
技术 碳化硅上的氮化镓
应用行业 蜂窝
应用 5G Massive MIMO、通用、宏蜂窝基站驱动器、微蜂窝基站、小型蜂窝和有源天线、WCDMA
频率 2.5 至 5 GHz
饱和功率 41.3 分贝
OIP3 13.5分贝
获得 16分贝
电源电压 48 伏
排水效率 75 %
静态漏极电流 40毫安
包裹 DFN 封装
方面 4.5 x 4.0 毫米
RoHS 是的
年级 商业的
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