Qorvo 的 QPD0007 是一款单路径分立式 GaN 晶体管，工作频率范围为 DC 至 5 GHz。它是一个单级晶体管，提供 43 dBm 的饱和输出功率，效率高达 73%。这种符合 RoHS 标准的晶体管需要 48 V 的直流电压并消耗 32.5 mA 的电流。它采用 GaN on SiC HEMT 工艺制造，采用尺寸为 4.5 x 4.0 mm 的 DFN 封装。该晶体管可用于 WCDMA/LTE、宏蜂窝/微蜂窝基站、小型蜂窝、有源天线、5G 大规模 MIMO 和通用应用。
产品规格
产品详情
零件号 QPD0007
制造商 科尔沃
描述 20 W GaN on SiC HEMT，从直流到 5 GHz
一般参数
晶体管类型 HEMT
技术 碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业 无线基础设施，蜂窝
应用 5G Massive MIMO、W-CDMA / LTE、Microcell 基站、Small Cell、有源天线
频率 直流至 5 GHz
饱和功率 43分贝
获得 19分贝
电源电压 48 V（漏极）
排水效率 73%
漏电流 32.5 毫安
无铅 是的
包装类型 表面贴装
包裹 东风
方面 4.5 x 4.0 毫米
RoHS 是的
年级 商业，空间合格
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