--- 产品参数 ---
- 频率 直流至 6 GHz
- 力量 45.4 dBm(Psat)
- 功率(W) 34.7 瓦(帕萨特)
- 脉冲宽度 100 我们
- 占空比 10%
--- 产品详情 ---
Qorvo 的 QPD0020 是一款 GaN 射频功率晶体管,工作频率范围为 DC 至 6 GHz。它提供高达 34.7 瓦的饱和输出功率,P3dB 增益为 18.8 dB,漏极效率高达 77.8%。该器件需要 48 V 的电源电压。这种 GaN-on-SiC HEMT 晶体管可以支持 CW 和脉冲操作模式。
该器件采用行业标准的表面贴装 QFN 封装,尺寸为 4x3 mm,是雷达、W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站驱动器、小型蜂窝终端、有源天线、陆地移动和军用无线电通信的理想选择应用程序。
产品规格
产品详情
零件号 QPD0020
制造商 科尔沃
描述 从 DC 到 6 GHz 的 GaN-on-SiC HEMT 晶体管
一般参数
晶体管类型 HEMT
技术 碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业 航空航天与国防,蜂窝
应用 微蜂窝基站、W-CDMA / LTE、有源天线、Small Cell
连续波/脉冲 脉冲,连续波
频率 直流至 6 GHz
力量 45.4 dBm(Psat)
功率(W) 34.7 瓦(帕萨特)
脉冲宽度 100 我们
占空比 10%
获得 17.7 至 18.8 dB(3dB 压缩)
电源电压 48 伏
排水效率 77.8%
静态漏极电流 30毫安
包装类型 表面贴装
包裹 20 引脚 QFN 封装
方面 4 x 3 毫米
RoHS 是的
工作温度 -40 至 85 摄氏度
贮存温度 -65 至 150 摄氏度
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