Qorvo 的 QPD0020 是一款 GaN 射频功率晶体管，工作频率范围为 DC 至 6 GHz。它提供高达 34.7 瓦的饱和输出功率，P3dB 增益为 18.8 dB，漏极效率高达 77.8%。该器件需要 48 V 的电源电压。这种 GaN-on-SiC HEMT 晶体管可以支持 CW 和脉冲操作模式。
该器件采用行业标准的表面贴装 QFN 封装，尺寸为 4x3 mm，是雷达、W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站驱动器、小型蜂窝终端、有源天线、陆地移动和军用无线电通信的理想选择应用程序。
产品规格
产品详情
零件号 QPD0020
制造商 科尔沃
描述 从 DC 到 6 GHz 的 GaN-on-SiC HEMT 晶体管
一般参数
晶体管类型 HEMT
技术 碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业 航空航天与国防，蜂窝
应用 微蜂窝基站、W-CDMA / LTE、有源天线、Small Cell
连续波/脉冲 脉冲，连续波
频率 直流至 6 GHz
力量 45.4 dBm(Psat)
功率(W) 34.7 瓦（帕萨特）
脉冲宽度 100 我们
占空比 10%
获得 17.7 至 18.8 dB（3dB 压缩）
电源电压 48 伏
排水效率 77.8%
静态漏极电流 30毫安
包装类型 表面贴装
包裹 20 引脚 QFN 封装
方面 4 x 3 毫米
RoHS 是的
工作温度 -40 至 85 摄氏度
贮存温度 -65 至 150 摄氏度
相关型号
NLB-310 RFPA1012 RF7234 RF2815
RFDA0016 S518324-44Z SGA8343Z RF2312
RFDA2025 CGB-1089Z RF3376 RF2173
RFDA0026 NBB-500 NBB-310 RF5355
SBA4086Z CGA-1518Z SXE1089Z RF3378
