Qorvo 的 QPD1009 是一种 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为直流至 4 GHz。它提供 17 W 的输出功率，增益为 24 dB，PAE 为 72%。该晶体管需要 50 V 的电源电压并消耗高达 26 mA 的电流。它采用 3 x 3 mm QFN 封装，是军用雷达、干扰器、陆地移动和军用无线电通信的理想选择。
产品规格
产品详情
零件号 QPD1009
制造商 科尔沃
描述 17 W GaN RF 晶体管，从 DC 到 4 GHz
一般参数
晶体管类型 HEMT
技术 碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业 无线基础设施、雷达、航空航天与国防、测试与测量
应用 军事、移动无线电、通信、测试仪器、干扰器、航空电子设备
连续波/脉冲 脉冲，连续波
频率 直流至 4 GHz
力量 41.76 分贝
功率(W) 15 瓦
饱和功率 42.3 分贝
脉冲宽度 128 我们
占空比 0.1
获得 24分贝
电源电压 12 至 60 伏
电压 - 栅源 (Vgs) -2.8 伏
漏极偏置电流 26毫安
静态漏极电流 26毫安
包装类型 表面贴装
包裹 3 x 3 毫米
RoHS 是的
相关型号
855736 856440 856824 855741
856625 855820 856598 856929
854669 854823 855745 855068
856445 856738 856684 854909
854656 856073 854913 854916
854651 854660 856705 856692
