--- 产品参数 ---
- 零件号 MA4ST1231-1141T
- 伽玛 1.00
- 总电容(pF) 4.700
- 击穿电压(V) 12
- 包裹 ODS-1141
--- 产品详情 ---
描述
MACOM 的 MA4ST1200 系列是一种高度可重复的、UHCVD/离子注入的超突变硅调谐变容二极管,采用具有成本效益的表面贴装封装。该系列变容二极管专为高电容比和低电池电压操作而设计的高 Q 值。它对于电源电压限制在 5 伏或更低的宽带调谐和低相位噪声应用非常有效。变容二极管在 SC-79 和 SOD-323 中作为单管提供,在 SC-70 中提供共阴极版本,3 引线。这些二极管提供标准的 Sn/Pb 镀层,以及我们符合 RohS 标准的等效器件上的 100% 无光泽 Sn 镀层。
特性
低调谐电压下的低串联电阻
260°C 回流兼容性
符合 RoHs
无铅
SPC 工艺可实现卓越的 C 与 V 重复性
表面贴装塑料封装:SC-79、SOD-323、SC-70(3L)
低调谐电压下的高电容比
产品规格
零件号MA4ST1231-1141T
简短的介绍低电压、低 Rs Si 超突变
伽玛1.00
总电容(pF)4.700
品质因数 @ 50 MHz,最小值1700
击穿电压(V)12
包裹ODS-1141
包装类别塑料表面贴装
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