--- 产品参数 ---
- 低插入损耗 0.35 dB 至 2.8 GHz(典型值
- 连续波功率 39 dBm
- 平均功率 39 dBm
- 峰值功率 49 dBm
- IP3 84 dBm(典型值)
--- 产品详情 ---
ADRF5345是一款高线性度、反射式、单刀四掷(SP4T)开关,采用硅工艺制造。
ADRF5345的工作频率范围为1.8 GHz至3.8 GHz,具有低于0.40 dB的典型插入损耗以及84 dBm的典型输入IP3。针对长期演进(LTE)信号,该器件具有39 dBm(连续波信号)、39 dBm(平均值)和49 dBm(峰值)的RF输入功率处理能力。
ADRF5345集成负电压发生器(NVG),可采用施加于VDD引脚的5 V (VDD)单正电源供电,同时消耗2 mA的电源电流。该器件利用低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。
ADRF5345采用符合RoHS标准的4 mm × 4 mm、22引脚、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为−40°C至+105°C。
应用
- 5G天线倾斜
- 无线基础设施
- 军事和高可靠性应用
- 测试设备
- 引脚二极管替代器件
- 反射式设计
- 低插入损耗
- 0.35 dB 至 2.8 GHz(典型值)
- 0.40 dB 至 3.8 GHz(典型值)
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 长期(>10 年)平均值
- 连续波功率:39 dBm
- 长期演进信号
- 平均功率:39 dBm
- 峰值功率:49 dBm
- 长期(>10 年)平均值
- 高输入线性度,IP3:84 dBm(典型值)
- ESD 额定值
- HBM:2000 伏,2 级
- CDM:1000 V,C3 级
- 单电源运行,集成 NVG
- 正控制,兼容 LVCMOS-/LVTTL
- 4 毫米 x 4 毫米、22 端子 LGA 封装
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