--- 产品参数 ---
- 频率范围 1 GHz至20 GHz
- 低插入损耗 0.8 dB(典型值)至20 GHz
- 三阶交调点(IP3) >68 dBm
- 二阶交调截点(IP2 112 dBm
- 脉冲(100 µs脉 43 dBm
--- 产品详情 ---
ADRF5144是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关,采用硅工艺制造。
ADRF5144的工作频率范围为1 GHz至20 GHz,具有0.85 dB的典型插入损耗以及48 dBm的典型隔离性能。针对插入损耗路径,该器件具有40 dBm(平均功率)和待定dBm(峰值功率)的射频(RF)输入功率处理能力。ADRF5144还支持9 kHz至26.5 GHz的扩展频率范围以及低于1 GHz但高于20 GHz的降额功率处理能力。
ADRF5144在+3.3 V正电源电压和−3.3 V负电源电压下分别消耗130 μA和510 μA的低电流。该器件具有互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。ADRF5144无需额外的驱动器电路,使其成为基于GaN和PIN二极管开关的出色替代器件。
ADRF5144也可以在单个正电源电压(VDD)下工作,同时负电源电压(VSS)接地。在此工作条件下,可在降低开关特性、线性度和功率处理性能的同时保持小信号性能,参见数据手册中的表2。
ADRF5144采用符合RoHS标准的20引脚、3.0 mm × 3.0 mm、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为−40°C至+85°C。
应用
- 测试仪器仪表
- 军用无线电、雷达和电子对抗
- 卫星通信
- GaN和PIN二极管替代器件
- 宽带频率范围:1 GHz至20 GHz
- 低插入损耗:0.8 dB(典型值)至20 GHz
- 高隔离度:48 dB(典型值)至20 GHz
- 高输入线性度:
- 0.1 dB功率压缩(P0.1dB):44 dBm
- 三阶交调点(IP3): >68 dBm
- 二阶交调截点(IP2):112 dBm
- TCASE = 85°C时高功率处理能力:
- 插入损耗路径:
- 平均值:40 dBm
- 峰值(100 ns脉冲宽度,2%占空比):TBD dBm
- 脉冲(100 µs脉冲宽度,15%占空比):43 dBm
- 插入损耗路径:
-
- 热切换:37 dBm
- 0.1 dB RF建立时间(PIN <37dBm):待定
- 无低频杂散
- 正控制接口:CMOS/LVTTL兼容
- 20引脚、3.0 mm × 3.0 mm LGA封装
- 与 ADRF5141 引脚兼容
ADRF5345NEW
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