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深圳市聚成恒信电子科技有限公司

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ADRF5019BCPZN是一款反射式开关

型号: ADRF5019BCPZN

--- 产品参数 ---

  • 低插入损耗 8 GHz 时为 0.8 dB
  • 高隔离 8 GHz 时为 45 dB
  • P1dB 39 dBm
  • IP3 60 dBm(典型值)
  • ESD 额定值 2 kV(2 级)HBM

--- 产品详情 ---

ADRF5019 是一款采用硅工艺制造的非反射式单刀双掷 (SPDT) RF 开关。

ADRF5019 的工作频率范围为 100 MHz 至 13 GHz,在 8 GHz 时具有优于 0.8 dB 的插入损耗和 45 dB 隔离。ADRF5019 采用非反射设计,其 RF 端口在内部终接至 50 Ω。

ADRF5019 开关需要 +3.3 V 和 −2.5 V 的双电源电压,以及正控制电压输入。此开关采用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容型和低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容型控制。

ADRF5019 还可使用单个正电源电压 (VDD) 工作。负电源电压 (VSS) 连接至地。即使在单电源工作模式下,ADRF5019 也能覆盖 100 MHz 至 13 GHz 的工作频率范围,并保持良好的功率处理性能。更多详细信息请参见“Applications Information”部分。

ADRF5019 的引脚与 HMC1118 兼容,后者是低截止频率版本,可在 9 kHz 至 13.0 GHz 的频率范围内工作。

ADRF5019 采用 16 引脚引线框架芯片规模封装 (LFCSP),可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。

应用

  • 测试仪表
  • 微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
  • 军用无线电、雷达和电子对抗措施 (ECM)
  • 光纤和宽带电信
  • 非反射 50 Ω 设计
  • 低插入损耗:8 GHz 时为 0.8 dB
  • 高隔离:8 GHz 时为 45 dB
  • 高输入线性度
    • P1dB:39 dBm
    • IP3:60 dBm(典型值)
  • 高功率处理能力
    • 35 dBm 插入损耗路径
    • 27 dBm 热切换
  • ESD 额定值:2 kV(2 级)HBM
  • 无低频杂散信号
  • 0.05 dB 射频建立时间:375 ns
  • 0.1 dB 射频建立时间:300 ns
  • 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP
  • 引脚与 HMC1118 兼容,低频截止版本

 

 

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