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深圳市聚成恒信电子科技有限公司

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HMC1118LP3DETR是一款高隔离SPDT非反射开关

型号: HMC1118LP3DETR

--- 产品参数 ---

  • 正控制电压 0/+3.3V
  • 低插入损耗 0.68 dB (8.0 GHz时)
  • 高隔离度 48 dB (8.0 GHz时)
  • 高功率处理 35 dBm(通过路径)
  • 高功率处理 27 dBm(端接路径)

--- 产品详情 ---

HMC1118是一款通用、宽带、非反射式单刀双掷(SPDT)开关,采用LFCSP表贴封装。该开关频率范围为9 kHz至13.0 GHz,具有高隔离度和低插入损耗。该开关具有48 dB以上的隔离性能,8.0 GHz及以下频率时的插入损耗为0.68 dB,最终RFOUT的0.05 dB裕量的建立时间为7.5 μs。该开关采用+3.3 V和0 V的正控制电压逻辑线路工作,需要+3.3 V和−2.5 V电源供电。仅施加一个正电源电压而负电源电压(VSS)接地时,HMC1118的工作频率范围不变,并且仍能保持良好的功率处理性能。该器件采用3 mm × 3 mm表贴LFCSP封装。

应用
 

  • 测试仪器仪表
  • 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
  • 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
  • 光纤和宽带电信
  • 非反射50Ω设计
  • 正控制电压: 0/+3.3V
  • 低插入损耗: 0.68 dB (8.0 GHz时)
  • 高隔离度: 48 dB (8.0 GHz时)
  • 高功率处理:
    • 35 dBm(通过路径)
    • 27 dBm(端接路径)
  • 高线性度:
    • 1 dB压缩(P1dB):37 dBm(典型值)
    • 输出三阶交调截点(IIP3):62 dBm(典型值)
  • ESD额定值: 2kV 人体模型(HBM)
  • 3 x 3 mm 16引脚LFCSP封装
  • 无低频杂散
  • 建立时间(最终RFOUT的0.05 dB裕量):7.5 μs

 

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