--- 产品参数 ---
- 增益 12 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)
- 输入回波损耗 14 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)
- 输出回波损耗 16 dB(典型值,10 GHz至40 GHz时)
- OP1dB 17.5 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)
- PSAT 21 dBm(典型值,10 GHz至26 GHz时)
--- 产品详情 ---
HMC1126ACEZ是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、低噪声放大器,工作频率范围为400 MHz至52 GHz。HMC1126ACEZ提供12 dB典型增益、28.5 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)、17.5 dBm典型输出功率(1 dB增益压缩)(OP1dB)和3.5 dB典型噪声系数(10 GHz至26 GHz时)。HMC1126ACEZ采用5 V电源供电,功耗为85 mA。集成了通常所需的所有无源工作元件(交流耦合电容和电源去耦电容),简化了小型和紧凑型印刷电路板(PCB)尺寸。
HMC1126ACEZ采用5.00 mm × 5.00 mm、24引脚芯片阵列小型封装、无引脚腔(LGA_CAV)封装。
应用
- 测试仪器仪表
- 军事与太空
- 增益:12 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)
- 输入回波损耗:14 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)
- 输出回波损耗:16 dB(典型值,10 GHz至40 GHz时)
- OP1dB:17.5 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)
- PSAT:21 dBm(典型值,10 GHz至26 GHz时)
- OIP3:28.5 dBm(典型值,10 GHz至26 GHz时)
- 噪声系数:3.5 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)
- 5 V电源电压(85 mA时)
- 50 Ω匹配输入和输出
- 无需外部无源元件
- 5.00 mm × 5.00 mm、24引脚LGA_CAV封装
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