--- 产品参数 ---
- 低噪声系数 1.7 dB(典型值)
- 高增益 15.5 dB(典型值)
- 高OIP3 34 dBm(典型值)
--- 产品详情 ---
HMC8411LP2FE 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、低噪声宽带放大器,工作频率范围为 0.01 GHz 至 10 GHz。
HMC8411LP2FE 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪声系数和 34 dBm 的典型输出三阶截距 (OIP3),在 5 V 电源电压下仅需 55 mA。典型值 19.5 dBm的饱和输出功率 (P SAT ) 使低噪声放大器 (LNA) 能够用作许多 Analog Devices, Inc. 的平衡、同相/正交 (I/Q) 的本地振荡器 (LO) 驱动器),或镜像抑制混频器。
HMC8411LP2FE 还具有内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使该器件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。
HMC8411LP2FE 采用符合 RoHS 标准的 2 mm × 2 mm、6 引脚 LFCSP 封装。
多功能引脚名称只能由其相关功能引用。
应用
- 测试仪器
- 军事通讯
- 低噪声系数:1.7 dB(典型值)
- 单正电源(自偏置)
- 高增益:15.5 dB(典型值)
- 高OIP3:34 dBm(典型值)
- 6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP
HMC8411TCPZ-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)
- 军用温度范围(-55℃至+125℃)
- 受控制造基线
- 唯一封装/测试厂
- 唯一制造厂
- 产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
ADL8150-Die
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