2MHz、35μV 失调电压、8nV/√Hz 噪声、350μA 功耗、精密（增益引脚 2、3）仪表放大器
| Number of channels (#) | 1 |
| Vs (Max) (V) | 36 |
| Vs (Min) (V) | 4.5 |
| Input offset (+/-) (Max) (uV) | 35 |
| Gain (Min) (V/V) | 1 |
| Gain (Max) (V/V) | 10000 |
| Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz)) | 8 |
| Features | Super-beta, Small Size, Overvoltage Protection |
| CMRR (Min) (dB) | 110 |
| Input offset drift (+/-) (Max) (uV/C) | 0.4 |
| Input bias current (+/-) (Max) (nA) | 0.5 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.35 |
| Bandwidth at min gain (Typ) (MHz) | 2 |
| Gain error (+/-) (Max) (%) | 0.15 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Type | Resistor |
| Output swing headroom (to negative supply) (Typ) (V) | 0.15 |
| Output swing headroom (to positive supply) (Typ) (V) | -0.15 |
| Input common mode headroom (to negative supply) (Typ) (V) | 2 |
| Input common mode headroom (to positive supply) (Typ) (V) | -2 |
| Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp) | 0.19 |
| Gain non-linearity (+/-) (Max) (%) | 0.0015 |
- 低失调电压：10 μV（典型值），35 μV（最大值）
- 增益漂移：5 ppm/°C (G = 1)、 35 ppm/°C (G > 1)（最大值）
- 噪声：8 nV/√Hz
- 带宽：2 MHz (G = 1)、270 kHz (G = 100)
- 在 1 nF 容性负载下保持稳定
- 输入保护电压高达 ±60V
- 共模抑制：110 dB，G = 10（最小值）
- 电源抑制：110 dB，G = 1（最小值）
- 电源电流：385 μA（最大值）
- 电源电压范围：
- 单电源：4.5V 至 36V
- 双电源：±2.25V 至 ±18V
- 额定温度范围：–40°C 至 +125°C
- 封装：8 引脚 SOIC、VSSOP、WSON
INA819 是一款高精度仪表放大器，可提供低功耗并且可在极宽的单电源或双电源电压范围内工作。可通过单个外部电阻器在 1 到 10,000 范围内设置任意增益。由于采用超 β 输入晶体管（这些晶体管可提供极低的输入失调电压、失调电压漂移、输入偏置电流、输入电压和电流噪声），该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达 ±60V 的过压保护。
INA819 经过优化，可提供较高的共模抑制比。当 G = 1 时，整个输入共模范围内的共模抑制比超过 90 dB。根据设计，此器件在低电压下运行，由 4.5V 单电源和高达 ±18V 的双电源供电。
INA819 采用 8 引脚 SOIC、VSSOP 和 WSON 封装，并且额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
