--- 产品详情 ---
耐辐射加固保障 (RHA) 6.5GHz 超宽带全差分放大器
Number of channels (#) | 1 |
Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) | 3.15 |
Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) | 5.25 |
BW @ Acl (MHz) | 4100 |
Acl, min spec gain (V/V) | 5 |
Slew rate (Typ) (V/us) | 17500 |
Architecture | Fully Differential ADC Driver, Bipolar |
Vn at flatband (Typ) (nV/rtHz) | 1.25 |
Iq per channel (Typ) (mA) | 60 |
Rail-to-rail | No |
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) | 5 |
Operating temperature range (C) | -55 to 125, 25 to 25 |
Approx. price (US$) | 5248.95 | 1ku |
Output current (Typ) (mA) | 50 |
2nd harmonic (dBc) | 91 |
3rd harmonic (dBc) | 95 |
Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) | 100 |
GBW (Typ) (MHz) | 6500 |
Input bias current (Max) (pA) | 60000000 |
Features | Shutdown |
CMRR (Typ) (dB) | 72 |
Rating | Space |
- QMLV(QML V 类)已通过 MIL-PRF-38535 认证,SMD 5962R1721401VXC
- 耐辐射加固保障 (RHA) 能力高达 100krad (Si) 总电离剂量 (TID)
- 单粒子闩锁 (SEL) 对于
LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg - 支持军用级温度范围(-55°C 至 125°C)
- 增益带宽积 (GBP):6.5GHz
- 优异的线性性能:
直流电频率达 2GHz - 压摆率:17,500V/μs
- 低 HD2、HD3 失真
(500mVPP,100Ω,SE-DE,Gv = 17dB)(1):- 100MHz:HD2 为 -91dBc,HD3 为 -95dBc
- 200MHz:HD2 为 -86dBc,HD3 为 -85dBc
- 500MHz:HD2 为 -80dBc,HD3 为 -80dBc
- 1GHz:HD2 为 -53dBc,HD3 为 -70dBc
- 2GHz:HD2 为 -68dBc,HD3 为 -56dBc
- 低 IMD2、IMD3 失真
(1VPP,100Ω,SE-DE,Gv = 17dB)(1):- 500MHz:IMD2 为 –90dBc,IMD3 为 –79dBc
- 1GHz:IMD2 为 –80dBc,IMD3 为 –61dBc
- 2GHz:IMD2 为 –64dBc,IMD3 为 –42dBc
- 高 OIP2、OIP3。Gp = 8dB(1)
- 500MHz:OIP2 为 91dBm,OIP3 为 47.7dBm
- 1 GHz:OIP2 为 80dBm,OIP3 为 37.5dBm
- 输入电压噪声:1.25nV/√Hz
- 输入电流噪声:3.5pA/√Hz
- 支持单电源和双电源运行
- 电流消耗:60mA
- 关断特性 (1)
(1)功率增益 (Gp) = 8dB;电压增益 (Gv) = 17dB;RL总计 = 200Ω。更多详细信息请参见输出参考节点和增益命名规则部分。
LMH5401-SP 是一款针对射频 (RF)、中频 (IF) 或高速直流耦合时域 应用优化的高性能耐辐射差分放大器。该器件非常适合于直流耦合或交流耦合 应用 。LMH5401-SP 在 SE-DE 或差分至差分 (DE-DE) 模式下运行时会产生非常低的二阶和三阶失真。
此放大器针对 SE-DE 和 DE-DE 系统进行了优化。该器件具有直流到 2GHz 的超高可用带宽。LMH5401-SP 可在广泛的 应用 (如测试与测量、宽带通信以及高速数据采集)中用于在信号链中进行 SE-DE 转换,而无需外部平衡-非平衡变压器。
该器件提供了共模参考输入引脚,以便使放大器输出共模符合 ADC 输入要求。可选电源范围介于 3.3V 和 5V 之间,并且可根据应用要求支持双电源供电。掉电功能还可实现节能。
当器件由 5V 电源供电且达到 300mW 超低功耗时,这一性能等级才能实现。该器件采用德州仪器 (TI) 的先进互补 BiCMOS 工艺制造,可节省空间,同时提供 LCCC-14 封装以实现更高的性能。
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