Automotive-grade, dual, 16-V, 10-MHz op amp
| Number of channels (#) | 2 |
| Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) | 16 |
| Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) | 4.5 |
| Rail-to-rail | In to V- |
| GBW (Typ) (MHz) | 10 |
| Slew rate (Typ) (V/us) | 16 |
| Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) | 1.9 |
| Iq per channel (Typ) (mA) | 1.8 |
| Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) | 8.5 |
| Rating | Automotive |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Offset drift (Typ) (uV/C) | 1.2 |
| Input bias current (Max) (pA) | 50 |
| CMRR (Typ) (dB) | 110 |
| Output current (Typ) (mA) | 100 |
| Architecture | CMOS |
- 宽带宽：10MHz
- 高输出驱动
- IOH：–1.5V VDD 时为 57mA
- IOL：0.5V 时为 55mA
- 高压摆率
- SR+：16V/μs
- SR?：19V/μs
- 宽电源电压范围：4.5V 至 16V
- 电源电流：每通道 1.9mA
- 低输入噪声电压：8.5nV/√Hz
- 输入失调电压：60μV
- 适用于 TLC082-Q1 的超小型 8 引脚 MSOP-PowerPAD 封装
TLC08x-Q1 是首款以应用 TI BiCMOS 技术为亮点的通用运算放大器。BiMOS 系列的理念非常简单：那就是为准备从双电源过渡到单电流系统同时需要更高交流和直流性能的 BiFET 用户提供一条升级途径。凭借在整个汽车工作温度范围内（–40°C 至 125°C），在 4.5V 至 16V 额定电压下所提供的出色性能，BiMOS 适合各种音频、汽车、工业和仪表 应用。
BiMOS 放大器采用 TI 获得专利的 LBC3 BiCMOS 工艺进行开发，它将极高的输入阻抗、低噪声 CMOS 前端与高驱动双极输出级相结合，因而在两方面都实现了最佳性能 特性 。与 TL08x-Q1 BiFET 早期产品相比，其交流性能得以提升，具有 10MHz 的带宽和 8.5nV/√Hz 的电压噪声。这些 特性 使得 TLC08x-Q1 器件非常适合应用于 ADAS（例如短距离雷达）和汽车车身。TLC082-Q1 还适用于信息娱乐和仪表组，可用作汽车音频应用中的 前置放大器。
直流性能提升包括 VICR 得到保证，包括接地、输入失调电压降低 4 倍至 1.5mV（最大值），以及电源抑制增大了 40dB 达到 130dB。还有一项出色的 特性， 即利用超小尺寸的 MSOP PowerPAD?封装能够轻松驱动 ±50mA 的负载，从而使 TLC08x-Q1 成为理想的高性能通用运算放大器系列。
