双路、超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET
| Vn at 1 kHz (nV/rtHz) | 0.9 |
| Breakdown voltage (V) | 40 |
| VDS (V) | 40 |
| VGS (V) | -40 |
| VGSTH typ (V) | 1.2 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 超低噪声：
- 电压噪声：
- 1 kHz 时为 0.9 nV/√Hz，IDS = 5 mA
- 1 kHz 时为 1.1 nV/√Hz，IDS = 2mA
- 电流噪声：1 kHz 时为 1.6 fA/√Hz
- 电压噪声：
- 低 VGS 失配：4 mV（最大值）
- 低栅极电流：10 pA（最大值）
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低输入电容：VDS = 5V 时为 13 pF
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高栅漏电压和栅源击穿电压：-40 V
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高跨导：30 mS
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封装：SOIC，2mm × 2mm WSON（预发布）
JFE2140 是使用德州仪器 (TI) 现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown? 匹配对分立式 JFET。JFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能，静态电流可由用户设置，范围为 50 μA 至 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时，该器件会产生 0.9 nV/√Hz 的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪声性能。此外，可按照 ±4 mV 测试 JFET 之间的匹配性，确保差分对配置具有低失调电压和高 CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。
JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压，以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
