适用于高速接口且采用 0.64mm2 SON 封装的四路 0.5pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管
| Number of channels (#) | 4 |
| IO capacitance (Typ) (pF) | 0.5 |
| Vrwm (V) | 5.5 |
| IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) | 12 |
| IEC 61000-4-5 (A) | 2.5 |
| Bi-/uni-directional | Uni-Directional |
| Dynamic resistance (Typ) (?) | 0.8 |
| Clamping voltage (V) | 10 |
| IO leakage current (Max) (nA) | 1 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 为低压输入输出 (IO) 接口提供系统级静电放电 (ESD) 保护
- IO 电容值 0.45pF（典型值）
- IEC 61000-4-2 4 级
- ±12kV（接触放电）
- ±15kV（空气间隙放电)
- IEC 61000-4-5（浪涌）：2.5A (8/20μs)
- 直流击穿电压 6.5V（最小值）
- 超低泄露电流 1nA（最大值）
- 低 ESD 钳位电压
- 工业温度范围：-40°C 至 125°C
- 最大限度减少空间的 0.8mm x 0.8mm DPW 封装
应用范围
- USB 3.0
- HDMI 2.0
- 低压差分信令 (LVDS)
- DisplayPort
- PCI Express 接口
- eSata 接口
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TPD4E110 是一款具有超低电容值的单向静电放电 (ESD) 保护器件。 此器件由一个中央 ESD 钳位组成，并且在每个通道中特有两个隐藏的二极管，以减少电容负载。 每条通道额定 ESD 冲击消散值高于 IEC61000-4-2 4 级国际标准中规定的最高水平。 TPD4E110 的超低负载电容值使得此器件非常适合于保护高速信号引脚。
