适用于 USB 3.0 且具有 5A 浪涌额定值的双路 0.7pF、5.5V ±8kV ESD 保护二极管
| Number of channels (#) | 2 |
| IO capacitance (Typ) (pF) | 0.7 |
| Vrwm (V) | 5.5 |
| IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) | 8 |
| IEC 61000-4-5 (A) | 5 |
| Bi-/uni-directional | Uni-Directional |
| Dynamic resistance (Typ) (?) | 0.6 |
| Clamping voltage (V) | 8 |
| IO leakage current (Max) (nA) | 100 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (C) | -40 to 85 |
- 支持 USB 3.0 数据速率 (5Gbps)
- IEC 61000-4-2 ESD 保护（4 级接触式）
- IEC 61000-4-5 浪涌保护
- 5A (8/20μs)
- 低电容
- DRT：0.7pF（典型值）
- DQA：0.8pF（典型值）
- 动态电阻：0.6Ω（典型值）
- 节省空间的 DRT、DQA 封装
- 直通引脚映射
TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2 国际标准（接触式）规定的最高水平。根据 IEC 61000-4-5（浪涌）规范，这类器件还可提供 5A (8/20μs) 的峰值脉冲电流额定值。
TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻，TPD2EUSB30A 器件可为高速差分 IO 提供出色的保护。
TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用节省空间的 DRT (1mm × 1mm) 封装。TPD4EUSB30 可采用节省空间的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封装。
