16MB 防辐射 SRAM
| Supply voltage (Min) (V) | 3 |
| Supply voltage (Max) (V) | 3.6 |
| Input type | Standard CMOS |
| Output type | 3-State |
| Clock Frequency (Max) (MHz) | 22 |
- 20ns 读取，13.8ns 写入（最大存取时间）
- 与商用
512K x 32 SRAM 器件功能兼容 - 内置 EDAC（错误侦测和校正）以减轻软错误
- 用于自主校正的内置引擎
- CMOS 兼容输入和输出电平，3 态双向数据总线
- 3.3 ± 0.3V I/O，1.8 ± 0.15V 内核
- 辐射性能 放射耐受性是一个基于最初器件标准的典型值。 辐射数据和批量验收测试可用 - 细节请与厂家联系。
- 设计使用基底工程和抗辐射 (HBD) 与硅空间技术公司 (SST) 许可协议下的 TM 技术和存储器设计。
- TID 抗扰度 > 3e5 rad (Si)
- SER < 5e-17 翻转/位-天
（使用 EDAC 和擦除的内核） 使用 CREME96 来计算用于与地同步轨道，太阳安静期的 SER。 - 闭锁抗扰度 > LET = 110 MeV
(T = 398K)
- 采用 76 引线陶瓷方形扁平封装
- 可提供工程评估 (/EM) 样品 这些部件只用于工程评估。 它们的加工工艺为非兼容流程（例如，无预烧过程等），并且只在 25°C 的温度额定值下进行测试。 这些部件不适合于品质检定、生产、辐射测试或飞行使用。 不担保完全军用额定温度
-55°C 至 125°C 范围内或使用寿命内的部件性能。
SMV512K32 是一款高性能异步 CMOS SRAM，由 32 位 524,288 个字组成。 可在两种模式：主控或受控间进行引脚选择。 主器件为用户提供了定义的自主 EDAC 擦除选项。 从器件选择采用按要求擦除特性，此特性可由一个主器件启动。 根据用户需要，可提供 3 个读周期和 4 个写周期（描述如下）。
