--- 产品详情 ---
具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器
Bus voltage (Max) (V) | 120 |
Power switch | MOSFET |
Input VCC (Min) (V) | 5.5 |
Input VCC (Max) (V) | 16 |
Peak output current (A) | 3.5 |
Rise time (ns) | 12 |
Operating temperature range (C) | -40 to 125, 125 to -40 |
Undervoltage lockout (Typ) | 5 |
Rating | Automotive |
Number of channels (#) | 2 |
Fall time (ns) | 10 |
Prop delay (ns) | 16 |
Iq (uA) | 2 |
Input threshold | TTL |
Channel input logic | TTL |
Negative voltage handling at HS pin (V) | -14 |
Features | Enable, Interlock |
Driver configuration | Dual inputs |
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 温度等级 1(Tj = –40°C 至 150°C)
- HBM ESD 分类等级 1B
- CDM ESD 分类等级 C3
- 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
- 5V 典型欠压锁定
- 输入互锁
- 在 DRC 封装中启用/禁用功能
- 16ns 典型传播延迟
- 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns,下降时间为 10ns
- 1ns 典型延迟匹配
- 输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5 V)
- HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (–14 V)
- ±3A 峰值输出电流
- 绝对最大启动电压为 120V
- 禁用时消耗的电流很低 (7μA)
- 集成式自举二极管
- 提供功能安全
- 有助于进行功能安全系统设计的文档
UCC27282 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,UCC27282 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关,因此 UCC27282 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。
输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压,因此提高了系统稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件,提供额外的系统灵活性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作,这在许多高频应用中是必需的,并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。
高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能,因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。在许多应用中,集成自举二极管无需使用外部分立式二极管,节省布板空间和降低系统成本。UCC27282 -Q1 采用小型封装,因此可支持高密度设计。
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