适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器
| Bus voltage (Max) (V) | 100 |
| Power switch | MOSFET, GaNFET |
| Input VCC (Min) (V) | 4.5 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.5 |
| Peak output current (A) | 5 |
| Rise time (ns) | 7 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 4 |
| Rating | Automotive |
| Number of channels (#) | 2 |
| Fall time (ns) | 3.5 |
| Prop delay (ns) | 30 |
| Iq (uA) | 150 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -5 |
| Features | Bootstrap supply voltage clamping, Split outputs on high and low side |
| Driver configuration | Half Bridge |
- 符合汽车应用 标准
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 1C
- 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6
- 独立的高侧和低侧TTL 逻辑输入
- 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力
- 高侧浮动偏置电压轨
工作电压高达 100VDC - 内部自举电源电压钳位
- 分离输出实现可调的
开通和关断应力 - 0.6? 下拉电阻，2.1? 上拉电阻
- 快速传播时间（典型值为 28ns）
- 优异的传播延迟
（典型值为 1.5ns) - 电源轨欠压锁定
- 低功耗
LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计，适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VDD 电压多高，它都能够承受高达 14V 的输入电压。LM5113-Q1 具有分栅输出的能力，可独立灵活地调节开通和关断强度。
此外，LM5113-Q1 具有非常可靠的灌电流能力，使栅极保持低电平，从而防止开关操作期间发生误导通。LM5113-Q1 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113-Q1 采用带有裸露焊盘的标准 10 引脚 WSON 封装，可改善功耗。
