具有 8V UVLO 和自适应延迟的 1.8A、100V 半桥栅极驱动器
| Bus voltage (Max) (V) | 100 |
| Power switch | MOSFET |
| Input VCC (Min) (V) | 9 |
| Input VCC (Max) (V) | 14 |
| Peak output current (A) | 1.8 |
| Rise time (ns) | 15 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 3.5 |
| Rating | Catalog |
| Number of channels (#) | 2 |
| Fall time (ns) | 15 |
| Prop delay (ns) | 25 |
| Iq (uA) | 10 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -1 |
| Driver configuration | Dual, Single |
- 可再生能源等级
- 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 具有可编程附加延迟的自适应上升沿和下降沿
- 单输入控制
- 自举电源电压高达 118VDC
- 短暂关断传播延迟（典型值为 25ns）
- 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
- 电源轨欠压锁定
典型应用
- 电流反馈推挽式电源转换器
- 高电压降压稳压器
- 有源钳位正激电源转换器
- 半桥和全桥转换器
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SM74104 高压栅极驱动器设计用于驱动采用同步降压配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。 该悬空高侧驱动器能够在高达 100V 的电源电压下工作。 高侧和低侧栅极驱动器由单个输入控制。 该器件采用自适应方式来控制每一个状态变化，从而避免发生击穿。 除了自适应转换时序之外，还可以添加与外部设置电阻成比例的附加延时。 该器件集成了一个高压二极管，用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。 稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。 该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。
