高频多模式同步整流器控制器
| Topology | Active Clamp Flyback, Active Clamp Forward, CCM, DCM, Forward, Full-Bridge, Half-Bridge, LLC, Quasi-Resonan |
| Switching frequency (Max) (kHz) | 1000 |
| UVLO thresholds on/off (V) | 4.5/4 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Features | Synchronous Rectifier, Operation up to 1Mhz, Adaptive Minimum Off-time, High or low-side configurable, Automatic light load and sleep mode, Proportional gate drive |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 支持有源钳位反激式、QR、DCM、CCM 反激式和 LLC 等各种拓扑
- MOSFET VDS 感应高达 230V
- 工作频率高达 1MHz
- UCC24612-1 为 1MHz
- UCC24612-2 为 800kHz
- 宽 VDD 范围允许从 5V 至 28V 输出系统的直接偏置
- 具有比例栅极驱动器的 4A 灌电流、1A 拉电流栅极驱动器
- 自适应最短关闭时间，可提高抗噪能力
- 循环极限预关闭可提高 CCM 效率
- 高侧或低侧可配置
- 实现自动轻负载和睡眠模式管理，待机电流为 320μA
- 16ns 典型关闭传播延迟
- 9.5V 栅极驱动器钳位，可减少驱动损耗
UCC24612 是用于标准和逻辑电平 N 沟道 MOSFET 功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实施接近理想的二极管仿真，UCC24612 可减少输出整流器的损耗，并间接减少初级侧损耗。漏极到源极 (VDS) 传感控制方案允许 UCC24612 使用多个拓扑结构，例如有源钳位反激式、QR/DCM/CCM 反激式和 LLC 等。
集成 特性 可简化设计工作，使 UCC24612 在各种频率下都 应用中 ，并表现卓越。较宽的 VDD 和 VD 工作电压范围便于在输出电压高达 28V 的系统中轻松实施。通过自适应最短关闭时间可提高效率和抗噪能力。变体器件 UCC24612-1 和 UCC24612-2 具有不同的最短导通时间，以提高抗噪能力。通过比例栅极驱动器和连续导通模式 (CCM) 循环极限预关闭进一步增强了 CCM 模式下的稳健运行能力。
UCC24612 具有多个可提高效率的 特性 。具有较短传播延迟的快速比较器可减少开关损耗。9.5V 栅极驱动器钳位可降低 MOSFET 驱动损耗。频率相关待机模式可进一步降低待机功耗。这些 特性 可帮助 UCC24612 成为符合诸如美国能源部 (DoE) 第 VI 级和行为规范 (CoC) 第 2 级等严格效率标准的更大系统的一部分。
UCC24612 采用 SOT23-5 封装。
