适用于 Intel VR13 CPU VCORE 和 DDR 存储器的两相 D-CAP+? 降压控制器
| Vin (Min) (V) | 4.5 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Vout (Min) (V) | 0.5 |
| Vout (Max) (V) | 3.04 |
| Iout (Max) (A) | 95 |
| Iq (Typ) (uA) | 3500 |
| Switching frequency (Min) (kHz) | 300 |
| Switching frequency (Max) (kHz) | 1000 |
| Features | Adjustable Current Limit, Dynamic Voltage Scaling, Enable, Light Load Efficiency, Output Discharge, Phase Interleaving, Power Good, Pre-Bias Start-Up, Remote Sense, SVID, Synchronous Rectification |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Number of phases | 2 |
| Rating | Catalog |
- 兼容 Intel?VR13 串行 VID (SVID)
- 单相或两相运行
- 支持压降和非压降 应用
- 8 位 DAC，具有 10mV 的步长
- 4.5V 至 28V 转换电压范围
- 输出电压范围：0.5V 到 2.3V
- 轻重负载情况下效率均得到优化
- 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
- 无驱动器配置，有助于实现高效的高频开关
- 支持分立式、电源块、 功率级?或 DrMOS MOSFET 实施
- 精确可调电压定位
- 300kHz 至 1MHz 的频率选择
- 已获专利 AutoBalance?相位均衡
- 适用于负载瞬态升压的可编程 ON-Pulse 扩展
- 可编程自动 DCM 和 CCM 运行
- 可选 8 级电流限制
- 小型 32 引脚 4mm × 4mm VQFN 封装 PowerPad?封装
TPS53627 器件是兼容 VR13 SVID 的无驱动器同步降压控制器。高级控制 特性 （例如具有重叠脉冲的 D-CAP+ ?架构）支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR)，可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。该器件还支持在 CCM 和 DCM 运行情况下进行单相运行，从而提高轻负载情况下的效率。该器件集成了一整套 VR13 I/O 特性， 包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许在 00h 到 07h 的时间范围内进行编程。输出电压转换率的可调节控制可编程为高达 20mV/uS。
与 TI NexFET?功率级配合使用时，该总体解决方案可提供超高速度和低开关损耗。
TPS53627 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装，可在 –40°C 到 + 105°C 温度下运行。
