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TIDDR 存储器电源 ICTPS51916

--- 产品详情 ---

DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器
DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Control mode D-CAP, D-CAP2, S3, S4/S5
Iout VDDQ (Max) (A) 20
Iout VTT (Max) (A) 2
Iq (Typ) (mA) 0.6
Output VDDQ, VREF, VTT
Vin (Min) (V) 3
Vin (Max) (V) 28
Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support
Rating Catalog
  • 同步降压控制器 (VDDQ)
    • 转换电压范围:3V 至 28V
    • 输出电压范围:0.7V 至 1.8V
    • 0.8% VREF精度
    • 可选控制架构
      • D-CAP?模式,可实现快速瞬态响应
      • D-CAP2?针对陶瓷输出电容器的模式
    • 可选 300kHz、400kHz、500kHz 或 670kHz 开关频率
    • 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
    • 支持 S4 和 S5 状态下的软关闭
    • 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
    • 电源正常输出
  • 2A LDO (VTT),缓冲基准 (VTTREF)
    • 2A(峰值)灌电流和拉电流
    • 经缓冲的,低噪声,10mA VTTREF 输出
    • 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度
    • 支持高阻抗 (S3) 和软关闭(S4、S5)
  • 热关断
  • 20 引脚,3mm x 3mm,四方扁平无引线 (QFN) 封装
  • 创建 WEBENCH 设计

TPS51916 器件能够以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流和 2A 拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。

该器件采用耦合了 300kHz 或 400kHz 频率的 D-CAP? 模式,以实现易于使用且快速的瞬态响应,或采用耦合了更高的 500kHz 或 670kHz 频率的 D-CAP2? 模式,以在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流和 2A 拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容。提供专用的 LDO 电源输入。

该器件还可以提供卓越的电源性能。它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于高阻抗状态(处于 S3)并在 S4 或 S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电(软关闭)。它还提供具有低侧 MOSFET RDS(on) 检测功能的可编程 OCL、OVP、UVP、UVLO 以及热关断保护。

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