80V GaN 半桥功率级
| VDS (Max) (V) | 80 |
| RDS (on) (Milliohm) | 15 |
| ID (Max) (A) | 10 |
| Rating | Catalog |
- 集成 15mΩ GaN FET 和驱动器
- 80V 连续电压，100V 脉冲电压额定值
- 封装经过优化，可实现简单的 PCB 布局，无需考虑底层填料、爬电和余隙要求
- 超低共源电感可确保实现高压摆率开关，同时在硬开关拓扑中不会造成过度振铃
- 非常适合隔离式和非隔离式 应用
- 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
- 内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱
- 电源轨欠压锁定保护
- 优异的传播延迟（典型值为 29.5ns）和匹配（典型值为 2ns）
- 低功耗
LMG5200 器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级，采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN FET，它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。
GaN FET 在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容 CISS 也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm × 2mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。
该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VCC 电压如何，都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。
该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的 应用 而言，该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时，LMG5200 能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。
