适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有过流保护的汽车类 5.7kVrms 10A 单通道隔离式栅极驱动器
| Number of channels (#) | 1 |
| Isolation rating (Vrms) | 5700 |
| Power switch | IGBT, SiCFET |
| Peak output current (A) | 10 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 8400 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 2121 |
| Output VCC/VDD (Max) (V) | 33 |
| Output VCC/VDD (Min) (V) | 13 |
| Input VCC (Min) (V) | 3 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.5 |
| Prop delay (ns) | 90 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 12 |
- 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
- 具有符合面向汽车 标准 （计划的认证）
- 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
- 高峰值驱动电流和高 CMTI
- 有源米勒钳位
- RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）
- 较短传播延迟和较小脉冲/器件间偏移
- 工作温度范围：–40°C 至 125°C
- 安全相关认证（计划）：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
- 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离
UCC21710-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护 功能、出色的动态性能和稳健性。
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。
