耐辐射 QMLV、1.5V 至 7V 输入、3A 低噪声可调低压降 (LDO) 稳压器
| Output options | Adjustable Output |
| Iout (Max) (A) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 7 |
| Vin (Min) (V) | 1.5 |
| Vout (Max) (V) | 6.65 |
| Vout (Min) (V) | 0.8 |
| Fixed output options (V) | 0 |
| Noise (uVrms) | 20 |
| Iq (Typ) (mA) | 7 |
| Thermal resistance θJA (°C/W) | 75.4 |
| Rating | Space |
| Load capacitance (Min) (μF) | 22 |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Features | Adjustable current limit, Current sense, Enable, Power good, Soft start |
| Accuracy (%) | 2 |
| PSRR @ 100 KHz (dB) | 25 |
| Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) | 210 |
| Operating temperature range (C) | -55 to 125, 25 to 25 |
| Radiation, SEL (MeV.cm2/mg) | 85 |
| Radiation, TID (Typ) (krad) | 100 |
- 5962R13202：
- 耐辐射保障 (RHA)：高达 100krad (Si) TID
- 电离辐射总剂量：100krad (Si)
- 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS)：100krad (Si)
- 剂量率：10 mrad (Si)/s
- 单粒子锁定 (SEL) 对于
LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg - SEB 和 SEGR 对于
LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg - SET/SEFI 起始阈值大于 40MeV-cm2/mg，详情请参阅辐射报告(SNAA257)
- 专为降低干扰而设计，以避免损坏重要的下行组件
- 有关 SET/SEFI 横截面图的详细信息，请参阅辐射报告 (SNAA257)
- 超低输入电压范围：1.5V 至 7V
- 3A 最大输出电流
- 共流/并行运行以提供高达 6A 的输出电流
- 与陶瓷输出电容一起工作时保持稳定
- 线路、负载和温度范围内的精度为 ±2%
- 通过外部电容器进行可编程的软启动
- 所有输入电压具有输入使能，且具有电源正常输出，可进行电源定序
- 超低压降 LDO 电压：
1A (25°C)、VOUT = 1.8V 时为 62mV - 低噪声：
VIN = 2V、VOUT = 1.8 V、电流为 3A 时为20.33μVRMS - 电源抑制比 (PSRR)：1kHz 频率下超过 45dB
- 出色的负载/线路瞬态响应
- 折返电流限制
- 请参阅“工具和软件”选项卡
- 耐热增强型 CFP 封装 (0.6°C/W RθJC)
TPS7H1101A-SP 是 TPS7H1101-SP 的改进版，允许在整个输入电压范围内使用使能特性。它是一款使用 PMOS 导通元件配置的耐辐射 LDO 线性稳压器。它可在 1.5V 至 7V 的宽输入电压范围内运行，同时提供出色的 PSRR。TPS7H1101A-SP 通过 极宽的调节范围实现了精确的可编程折返电流限值功能。为了满足 FPGA、DSP 或微控制器的复杂电源要求，TPS7H1101A-SP 提供了启用开/关功能、可编程软启动、共流能力和一个电源正常开漏输出。
