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TIMOSFETCSD25501F3

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) -20
VGS (V) -20
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 76
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 125
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) 260
Id peak (Max) (A) -13.6
Id max cont (A) -3.6
QG typ (nC) 1.02
QGD typ (nC) 0.09
QGS typ (nC) 0.45
VGSTH typ (V) -0.75
Package (mm) LGA 0.7x0.6mm
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 3.6
Logic level Yes

此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET? MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10k? 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。

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