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TIMOSFETCSD87503Q3E

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) 30
Configuration Dual Common Source
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 21.9
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 16.9
IDM - pulsed drain current (Max) (A) 89
QG typ (nC) 13.4
QGD typ (nC) 5.8
QGS typ (nC) 4.8
Package (mm) SON3x3
VGS (V) 20
VGSTH typ (V) 1.7
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 10
ID - package limited (A) 10
Logic level Yes

CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。

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