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TIMOSFETCSD88584Q5DC

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET Dual-Cool? 电源块
VGS (V) 20
VDS (V) 40
Power loss (W) 2.4
Ploss current (A) 35
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) 50
Operating temperature range (C) -55 to 150
Features Motor control
Duty cycle (%) High
  • 半桥电源块
  • 高密度 5mm × 6mm SON 封装
  • 低 RDS(ON)，可实现最小的传导损耗
    • 电流为 35A 时，PLoss 为 2.4W
  • DualCool?热增强型封装
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

CSD88584Q5DC 40V 电源块是用于高电流电机控制应用的优化设计，这些 应用包括手持无线园艺和电动工具等。该器件利用 TI 获得专利的堆叠裸片技术，以最大限度地减小寄生电感，同时在节省空间的热增强型 DualCool?5mm × 6mm 封装中提供完整的半桥。利用外露的金属顶部，该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从 PCB 带走，从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下，实现出色的热 性能。


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