--- 产品详情 ---
NexFET 功率级
VDS (V) | 30 |
Power loss (W) | 0.53 |
Ploss current (A) | 5 |
Configuration | PowerStage |
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) | 10 |
Package (mm) | QFN 3.5 x 4.5 proprietary footprint |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
bq500101 NexFET功率级针对涵盖 WPC v1.2 中等功率规范的无线电源 应用 进行了优化。该器件既可用于固定频率发射器类型中的电源轨电压控制,也可用于固定频率和频率可变两种发射器类型中的线圈驱动器。这个组合在小型 3.5mm x 4.5mm 外形尺寸封装中实现具有高电流、高效率和高速开关功能的器件。此外,印刷电路板 (PCB) 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。
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