--- 产品详情 ---
采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET 电源块
VGS (V) | 10 |
VDS (V) | 30 |
Power loss (W) | 1.6 |
Ploss current (A) | 12 |
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) | 20 |
Operating temperature range (C) | -55 to 150 |
Features | Motor control, Power supply |
Duty cycle (%) | High |
CSD87334Q3D NexFET?电源块是面向同步降压和升压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与外部控制器或驱动器配合使用时, 可在高占空比应用中 提供灵活的解决方案
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