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TIMOSFETCSD19536KTT

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) 100
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.4
IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400
QG typ (nC) 118
QGD typ (nC) 17
QGS typ (nC) 37
Package (mm) D2PAK
VGS (V) 20
VGSTH typ (V) 2.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 272
ID - package limited (A) 200
Logic level No
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET?功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

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