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TIMOSFETCSD13302W

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) 12
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 17.1
IDM - pulsed drain current (Max) (A) 29
QG typ (nC) 6
QGD typ (nC) 2.1
QGS typ (nC) 0.7
Package (mm) WLP 1.0x1.0
VGS (V) 10
VGSTH typ (V) 1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 1.6
ID - package limited (A) 1.6
Logic level Yes
  • 超低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 1mm x 1mm 小尺寸封装
  • 低高度（高度为 0.62mm）
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

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这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

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