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TIMOSFETCSD17578Q5A

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) 30
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 9.3
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 6.9
IDM - pulsed drain current (Max) (A) 132
QG typ (nC) 7.9
QGD typ (nC) 2
QGS typ (nC) 3.1
Package (mm) SON5x6
VGS (V) 20
VGSTH typ (V) 1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 59
ID - package limited (A) 25
Logic level Yes

这款 30V，5.9mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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