--- 产品详情 ---
采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) | 100 |
Configuration | Single |
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 16.5 |
IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 138 |
QG typ (nC) | 16.4 |
QGD typ (nC) | 3.3 |
QGS typ (nC) | 5.1 |
Package (mm) | TO-220 |
VGS (V) | 20 |
VGSTH typ (V) | 2.8 |
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 54 |
ID - package limited (A) | 100 |
Logic level | No |
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220 塑料封装
应用范围
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
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这款 100V,13.7mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
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