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TIMOSFETCSD13383F4

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) 12
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 44
IDM - pulsed drain current (Max) (A) 27
QG typ (nC) 2
QGD typ (nC) 0.6
QGS typ (nC) 0.4
Package (mm) LGA 1.0x0.6mm
VGS (V) 10
VGSTH typ (V) 1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 2.9
ID - package limited (A) 2.9
Logic level Yes

该 37mΩ、12V N 沟道 FemtoFET? MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

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