采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -8 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 32.5 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 45.5 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 92 |
| Id peak (Max) (A) | -41 |
| Id max cont (A) | -3 |
| QG typ (nC) | 3.3 |
| QGD typ (nC) | 0.5 |
| QGS typ (nC) | 0.7 |
| VGSTH typ (V) | -0.8 |
| Package (mm) | WLP 1.0x1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 3 |
| Logic level | Yes |
- 超低 Qg 和 Qgd
- 小封装尺寸
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
应用范围
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
这款 27mΩ，20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 器件在 105oC 温度下运行RθJA 典型值 = 165°C/W，脉宽 ≤100μs，占空比 ≤1%
