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TIMOSFETCSD25202W15

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) -20
VGS (V) -6
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 26
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 32
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) 52
Id peak (Max) (A) -38
Id max cont (A) -4
QG typ (nC) 5.8
QGD typ (nC) 0.8
QGS typ (nC) 1.1
VGSTH typ (V) -0.75
Package (mm) WLP 1.5x1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 4
Logic level Yes
  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护

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这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

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