采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
。最大 RθJL = 20°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
| VDS (V) | 60 |
| Configuration | Dual |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 15 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 62 |
| QG typ (nC) | 14 |
| QGD typ (nC) | 2.3 |
| QGS typ (nC) | 4.6 |
| Package (mm) | SO-8 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 3 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 16 |
| ID - package limited (A) | 15 |
| Logic level | No |
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用范围
- 用于电机控制的半桥
- 同步降压转换器
这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。
顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。最大 RθJL = 20°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
