采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -8 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 23.9 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 32.5 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 89 |
| Id peak (Max) (A) | -48 |
| Id max cont (A) | -9.6 |
| QG typ (nC) | 3.6 |
| QGD typ (nC) | 0.5 |
| QGS typ (nC) | 1.1 |
| VGSTH typ (V) | -0.85 |
| Package (mm) | SON 2x2 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 9.6 |
| Logic level | Yes |
这款 19.9mΩ、–20V P 沟道器件旨在以超薄且具有出色散热特性的极小封装提供更低的导通电阻和栅极电荷。该器件将低导通电阻与 SON 2mm × 2mm 塑料封装的极小封装尺寸融为一体，堪称电池供电型空间受限应用的理想之选。
