采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 105 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 175 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 800 |
| Id peak (Max) (A) | -10 |
| Id max cont (A) | -2.5 |
| QG typ (nC) | 0.913 |
| QGD typ (nC) | 0.153 |
| QGS typ (nC) | 0.24 |
| VGSTH typ (V) | -0.95 |
| Package (mm) | LGA 1.0x0.6mm |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 2.5 |
| Logic level | Yes |
该 90mΩ、20V P 沟道 FemtoFET? MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
。
.
.
