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TIMOSFETCSD19531Q5A

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) 100
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 6.4
IDM - pulsed drain current (Max) (A) 337
QG typ (nC) 37
QGD typ (nC) 6.6
QGS typ (nC) 10.5
Package (mm) SON5x6
VGS (V) 20
VGSTH typ (V) 2.7
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 110
ID - package limited (A) 100
Logic level No

这款 100V，5.3mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

顶视图

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 1.0°C/W，持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%

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