采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共源极、27mΩ、-20V、P 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 27 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 39 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 81 |
| Id peak (Max) (A) | -24 |
| Id max cont (A) | -3.9 |
| QG typ (nC) | 2.9 |
| QGD typ (nC) | 0.4 |
| QGS typ (nC) | 0.7 |
| VGSTH typ (V) | -0.8 |
| Package (mm) | WLP 1.5x1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 3.9 |
| Logic level | Yes |
- 双路 P 通道 MOSFET
- 共源配置
- 小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm
- 栅极 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护大于 4kV
- 人体模型 (HBM) JEDEC 标准 JESD22-A114
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 环保标准
应用范围
- 电池管理
- 电池保护
- 负载和输入开关
CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 此器件也已经被授予美国专利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。
