采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、47mΩ、-20V、P 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 47 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 67 |
| Id peak (Max) (A) | -16 |
| Id max cont (A) | -1.6 |
| QG typ (nC) | 2.2 |
| QGD typ (nC) | 0.14 |
| QGS typ (nC) | 0.74 |
| VGSTH typ (V) | -0.85 |
| Package (mm) | WLP 1.0x1.0 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 1.6 |
| Logic level | Yes |
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 小尺寸封装 1mm x 1mm
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 栅 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。
