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TIMOSFETCSD87381P

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET
VGS (V) 10
VDS (V) 30
Power loss (W) 1
Ploss current (A) 8
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) 15
Operating temperature range (C) -55 to 150
Features Power supply
Duty cycle (%) Low
  • 半桥电源块
  • 10A 电流下的系统效率达 90%
  • 工作电流高达 15A
  • 高密度 - 3mm × 2.5mm 接合栅格阵列封装 (LGA) 尺寸
  • 双侧冷却能力
  • 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 低电感封装
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 无铅

应用范围

  • 同步降压转换器
    • 高电流、低占空比应用
  • 多相位同步降压转换器
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器

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此 CSD87381P NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 3mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，这款产品可提供高效且灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器配套使用时，可提供一个高密度电源。

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